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【本资料来自第八届新型节能设计技术研讨会】
演讲嘉宾：罗姆新材料元件研发中心经理 中村孝
内容介绍：SiC功率器件作为次世代节能型功率器件非常令人期待。罗姆在已经实现SBD、DMOS实际应用的同时，也正在推进新一代Trench MOS的开发。而且，成功地进行了高速、高温工作的SiC功率模块的试制。同时，罗姆计划将在世界范围内率先推出采用了SiC-MOSFET和SiC二极管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率?？椋┎贰Ｂ弈方粽絊iC功率器件市场的变革。我们源源不断稳定地向市场提供大量高品质且高性能的SiC元件，积极致力于打造高能效社会。