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规避常见“坑”：科学匹配EliteSiC栅极驱动，让SiC器件发挥极致效能

随着碳化硅（SiC）功率器件在新能源、工业控制等高压高频场景中加速普及，其性能潜力能否充分发挥，高度依赖于栅极驱动电路的精准设计与匹配。为此，本文提供一份针对SiC MOSFET的栅极驱动器匹配核心指南，系统解析如何在各类高功率主流应用中，科学选型与设计驱动电路，有效管控开关过程，从而显著降低导通与开关损耗，最大化提升系统的电压、电流效率与整体可靠性。

2025-12-04

瞄准200mm GaN晶圆：安森美与英诺赛科签署战略协议，GaN市场竞争格局生变

为加速氮化镓功率半导体在全球主要市场的普及，安森美与英诺赛科正式确立战略合作关系。双方签署谅解备忘录，计划聚焦40V至200V中低压GaN功率器件，通过深度融合安森美在系统集成与先进封装方面的专长，以及英诺赛科成熟的制造工艺与量产能力，共同开发更具成本效益与能效优势的解决方案。此举旨在快速响应工业自动化、电动汽车、AI数据中心及5G通信等领域对高效功率器件日益增长的需求，推动GaN技术的大规模商用进程。

2025-12-04

风电变流器迈入碳化硅时代：禾望电气集成Wolfspeed?？槭迪旨际蹩缭?/a>

175℃耐温 + 全系列覆盖，上海贝岭高压电机驱动芯片赋能工业与储能场景

自 2018 年启动工控与储能市场战略布局以来，上海贝岭始终聚焦光伏储能、伺服变频、工业电源、BMS、电动工具、电动车等核心领域，专注于为客户打造高性价比的半导体产品及系统解决方案。公司产品矩阵覆盖电源管理、信号链产品、功率器件三大核心领域，依托功率器件、电源管理、接口芯片、隔离器、存储器、马达驱动、数据转换、标准信号八大产品线，成功构建起全面的模拟与数?；旌喜方饩龇桨钙教?。其中，在高压电机驱动领域，公司产品覆盖率已突破 80%。

2025-10-17

强强联合：罗姆与英飞凌共推SiC器件封装兼容方案

全球两大半导体巨头——日本的罗姆与德国的英飞凌，正式宣布达成战略合作。双方将聚焦于碳化硅功率器件的封装技术，致力于实现产品封装的标准化与兼容。此举旨在为车载电源、可再生能源、储能及AI数据中心等关键领域的客户，构建一个更具弹性与韧性的供应链。未来，客户可以自由选用两家公司引脚兼容的SiC产品，显著简化设计流程，降低采购风险，并实现快速、无缝的供应商切换。

2025-09-28

安森美破解具身智能落地难题，全链路方案助推机器人产业化

人工智能技术正经历革命性突破，特别是多模态大模型的快速发展，为机器人产业带来了前所未有的机遇。这些技术进步不仅显著提升了机器人的环境感知和智能决策能力，更重要的是正在破解人形机器人规模化量产的技术与成本瓶颈。作为半导体解决方案的领先提供商，安森美凭借其在感知、控制和功率器件等关键环节的全面布局，为具身智能机器人和自主移动机器人(AMR)提供了完整的硬件解决方案，助力机器人实现从单一功能到多功能协同的智能化飞跃。

2025-09-18

罗姆半导体亮相上海：SiC与GaN功率器件应用全面解析

日本京都全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）正式确认参展2025年上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia 2025）。本次展会将于9月24日至26日在上海举行，罗姆将重点展示其在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件领域的最新技术突破与产品解决方案，这些技术主要面向工业设备和汽车电子应用领域。展会期间，罗姆还将举办多场专业技术研讨会，与业界专家共同探讨电力电子技术的最新发展趋势和创新应用。

2025-09-11

鹏城芯光耀未来：30万㎡“半导体+光电子”超级盛会，洞见产业融合新纪元 ?

SEMI-e 2025深圳国际半导体展百字速览 时间地点：2025年9月10-12日，深圳国际会展中心（宝安）。 核心亮点： 双展融合：联动CIOE中国光博会，共筑30万㎡“半导体+光电子”生态，超5000家展商、16万专业观众共聚。 国产突破：1000+龙头企业（紫光展锐、中芯国际、北方华创等）展示先进封装、SiC/GaN功率器件、工业软件等核心技术。 精准展区：6大主题聚焦2.5D/3D封装、CPO光互联、车载芯片应用，覆盖设计至制造全链。 行业前瞻：20+场峰会深度探讨第三代半导体材料、TGV封装等议题，破解产业瓶颈。 行动指南：一证通行双展，扫码免费领取参观证件，高效对接产业资源。

2025-09-03

SiC赋能工业充电器：拓扑结构优化与元器件选型实战指南

随着工业新能源体系（如电动叉车、分布式储能、重型工程机械）的快速扩张，电池充电器的高功率密度、高转换效率、高可靠性已成为刚性需求。传统IGBT器件因开关速度慢、反向恢复损耗大，难以满足“小体积、大输出”的设计目标——而碳化硅（SiC）功率器件的出现，彻底改变了这一局面。 SiC器件的核心优势在于极致的开关性能：其开关速度可达IGBT的5-10倍，反向恢复损耗几乎为零，同时能在175℃以上的高温环境下稳定工作。这些特性不仅能将充电器的功率密度提升40%以上（相同功率下体积缩小1/3），更关键的是，它突破了IGBT对功率因数校正（PFC）拓扑的限制——比如图腾柱PFC、交错并联PFC等新型架构，原本因IGBT的损耗问题无法落地，如今借助SiC得以实现，使充电器的整体效率从92%提升至96%以上。 本文将聚焦工业充电器的拓扑结构优化，结合SiC器件的特性，拆解“如何通过拓扑选型匹配SiC优势”“元器件（如电容、电感）如何与拓扑协同”等核心问题，为工程师提供可落地的设计指南。

2025-08-29

安森美iGaN解密：打造300W游戏电源能效巅峰

当电子设备的性能追求愈发严苛，尤其是游戏等高负载场景下的极致体验，对电源转换技术提出了前所未有的挑战：既要磅礴动力（300W级），又需超高效率与紧凑形态。硅基功率器件日渐触及物理天花板，这驱使产业目光转向潜力巨大的氮化镓（GaN）。安森美iGaN技术作为高效能电源的先锋代表，如何赋能300W游戏适配器的设计？本文将剖析其核心优势，并深入探讨关键设计要素如电源管理、旁路电容等实现高效的关键点。

2025-08-22

工业充电器能效革命：碳化硅技术选型与拓扑优化实战

随着800V高压平台在电动汽车与工业储能领域加速渗透，传统硅基功率器件正面临开关损耗与散热设计的双重瓶颈。以碳化硅（SiC）MOSFET为代表的新型半导体，凭借10倍于IGBT的开关频率和85%的能效提升率，正推动工业充电器架构向高频化、集成化跃迁。本文深度解析SiC技术赋能的拓扑结构选型策略，揭晓如何在LLC谐振、图腾柱PFC等创新方案中精准匹配功率器件参数，实现系统成本与性能的黄金平衡点。

2025-08-19

工业充电器PFC拓扑进化论：SiC如何重塑高效电源设计？

在工业4.0时代，从便携式电动工具到重型AGV（自动导引车），电池供电设备正加速渗透制造业、仓储物流和建筑领域。然而，工业级充电器的设计挑战重重：既要承受严苛环境（如高温、震动、粉尘），又需在120V~480V宽输入电压下保持高效稳定，同时满足轻量化、无风扇散热的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正为这一难题提供破局关键——其超快开关速度和低损耗特性，不仅提升了功率密度，更解锁了传统IGBT难以实现的新型PFC（功率因数校正）拓扑。本文将深入解析工业充电器的PFC级设计策略，助您精准选型。

2025-08-18