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半导体功率器件的无铅回流焊
半导体器件与 PCB 的焊接历来使用锡/铅焊料，但根据环境法规的要求，越来越多地使用无铅焊料来消除铅。大多数适合这些应用的无铅焊料是具有较高熔点的锡/银合金，相应地具有较高的焊料回流温度。
2023-10-09
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多元融合高弹性电网初落地，电源和功率器件迎行业风口
每到盛夏，我国江浙沿海一带就会出现电力紧张问题。因此，“高温下保供电”便成为各地的主要方针。同时，随着新能源汽车渗透率提升，电能供应的挑战会越来越大。为了能够更好地解决供电难题，多元融合高弹性电网成为电力能源领域的热门概念，并已经得到了初步的落实。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驱动SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位?；ぁ⒕嫉亩搪繁；ぁ⒖傻鞯娜砉囟系裙δ?，为新一代的功率器件保驾护航。
2023-09-18
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如何在有限空间里实现高性能？结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法！
SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装，由此增加了自动装配的便利性，同时减少了元件尺寸，并达成出色的热特性，在功率转换应用中实现了功率密度最大化和系统成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半导体市场，如何才能成为头部玩家？
在功率电子领域，要论如今炙手可热的器件，SiC要说是第二，就没有人敢说第一了。随着原有的Si基功率半导体器件逐渐接近其物理极限，由第三代SiC功率器件接棒来冲刺更高的性能，已经是大势所趋。
2023-09-15
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如何选择和开始使用功率器件驱动器
所有的分立式开关功率器件都需要驱动器，无论这些器件是分立式金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 还是?？?。驱动器是系统处理器的低电压、低电流输出端与开关器件之间的接口元件或“桥梁”，前者在受控的良好环境中运行，而后者则在恶劣条件下工作，对电流、电压和定时有着严格的要求。
2023-09-14
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适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案
随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。
2023-08-21
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IGBT单管数据手册参数解析——下
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩杰半导体将于11月亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会
11月1日-3日，中国第三代半导体功率器件的领先品牌--派恩杰半导体将于广州保利世贸博览馆，亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会。
2023-07-31
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安森美与博格华纳扩大碳化硅战略合作， 协议总价值超10亿美元
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来，双方已在广泛的产品领域开展战略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。
2023-07-18
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比较两种并联驱动方式对功率回路耦合特性分析
随着电力电子应用越发趋于高压与高功率密度，单个模块已经无法满足其需求，功率器件的并联应用由于其经济性与可行性成为了解决该矛盾的有效方法。然而，并联系统的总体布局无法达到完全的对称，使得理想化的静、动态电流分布难以实现进而限制了并联器件的利用率。
2023-07-12
- 强强联手！贸泽电子携手ATI，为自动化产线注入核心部件
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