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功率器件热设计基?。ㄆ撸鹊刃P?/a>
有了热阻热容的概念,自然就会想到在导热材料串并联时,就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的??橛?层材料构成,各层都有一定的热阻和热容,哪怕是散热器,其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下的各层温度如下图,温度的纹波是由热容决定的。
2024-12-11
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功率器件热设计基?。蔡炔饬?/a>
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
2024-12-09
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功率器件热设计基?。ㄎ澹β拾氲继迦热?/a>
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
2024-12-06
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功率器件热设计基?。ㄈβ拾氲继蹇俏潞蜕⑷绕魑露榷ㄒ搴筒馐苑椒?/a>
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循环双脉冲测试应用助力功率器件研究及性能评估
随着电力电子技术的飞速发展,功率器件在电动汽车、可再生能源、智能电网等领域的应用日益广泛。这些应用对功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特别是在电动汽车领域,功率器件需要在高电压、高电流和高温环境下稳定工作,这对器件的耐久性和可靠性是一个巨大的挑战。同时,随着SiC等宽禁带半导体材料的兴起,功率器件的性能得到了显著提升,但同时也带来了新的测试需求。如何在保证测试效率的同时,准确评估这些先进功率器件的性能和寿命,成为了行业发展的关键。
2024-11-23
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功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的热设计基?。ǘ茸璧拇筒⒘?/a>
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
2024-11-12
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功率器件热设计基?。ㄒ唬β拾氲继宓娜茸?/a>
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
2024-11-11
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如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器?
在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中,氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术,有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。
2024-11-04
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第8讲:SiC外延生长技术
SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一,外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积(CVD),本文简要介绍其生产过程及注意事项。
2024-11-04
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远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而,由于工作电压和长期可靠性的制约,这些器件的潜力并未得到充分发挥,主要在消费电子领域内竞争价格。近期,随着高压氮化镓器件的陆续推出,我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。
2024-11-01
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【泰克先进半导体实验室】 远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而,由于工作电压和长期可靠性的制约,这些器件的潜力并未得到充分发挥,主要在消费电子领域内竞争价格。近期,随着高压氮化镓器件的陆续推出,我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。
2024-10-20
- 强强联手!贸泽电子携手ATI,为自动化产线注入核心部件
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