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SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估
本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器，特别是电动汽车驱动电机功率变换器，需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误，就会致使变换器功率开关管在雪崩条件下工作。因此，本文通过模拟雪崩事件，进行非钳位感性负载开关测试，并使用不同的SiC MOSFET器件，按照不同的测试条件，评估技术的失效能量和鲁棒性。
2020-08-10
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门极驱动器方案–––即插即用快速评估和测试
电力电子在当今世界无处不在：半导体的隐藏功能，可实现广泛应用，从家电和消费品到数据处理和无线网络，再到日趋电子化的汽车。电力电子系统以极高能效在交流和直流形式之间以及直流电压之间转换电力，从而使更多的电能流向最终应用。电源转换的主要动力是开关：功率MOSFET、IGBT、宽禁带(WBG)半导体器件、SiC MOSFET和氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。在大多数拓扑中，这些晶体管以kHz至MHz的频率开和关。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驱动配置！
在设计开关模式电源时，主要品质因数（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]这三个FOM是耦合型，需要考虑诸多因素。例如，增加开关频率可减小磁性元件的尺寸和成本，但会增加磁性元件的损耗和功率器件中的开关损耗。由于GaN的寄生电容低且没有二极管反向恢复，因此与MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有显著降低损耗的潜力。
2020-08-07
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利用isoPower器件屏蔽电源，从而提高精度
许多传感器接口应用要求信号和电源隔离。为了运行模数转换器(ADC)、提供传感器偏置以及实现数字信号隔离，电源是必需的，但隔离电源的开关噪声可能会影响高精度测量。例如，当ADuM5201 isoPower的储能电路工作时，会产生360 MHz的噪声。如果该噪声与ADC的采样时间重合，噪声将耦合到传感器偏置、ADC电源或基准电压源中，导致测量丧失一定的保真度。为减少干扰，数字系统的常规做法是在时钟沿之间开始ADC转换，确保开关噪声不与电压转换相互作用。
2020-08-05
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新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器不断变化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出 现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系 统。更高的开关频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺 寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率 开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本 文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些主要差异，以及栅 极驱动器将如何为这些差异提供支持。
2020-08-04
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具集成型电压限制功能的3A、1MHz降压模式LED驱动器
LT3952 单片式 LED 驱动器包括一个 4A、60V DMOS 功率开关，非常适合在降压模式中驱动高电流 LED。输入电流检测放大器是其诸多特点之一，可用于在降压模式中提供内置的 LED 电压限制。
2020-08-03
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利用模拟开关实现555自激振荡器的脉冲转换
本设计实例描述一种新方法，用一只基于555定时器的自激振荡器产生一个占空比可变波形。该电路有宽的调制范围，可在很宽的占空比值范围内作高度线性化控制，出色的线性使它适合基于 PWM（脉冲宽度调制）的控制应用。图1为基本电路，工作原理如下：当 IC1的输出为高电平时，开关S1闭合，而IC1的内部放电开关S2打开。电容器C1通过R1和R2充电。当IC1输出为低电平时，S1打开，而S2闭合，C1通过R2和R3放电。
2020-08-03
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具备负载断开功能的同步升压转换器SGM6612A
SGM6612A是一颗20V/10A同步升压转换器芯片，内置门驱动器用于驱动外部开关断开负载。通过集成两个14mΩ高/低压侧电源开关，SGM6612A可提供高达10A的开关峰值电流和20V输出电压，从而为包括便携式扬声器、液晶显示器源驱动、功率放大器电源、电机驱动器电源及USB Type-C电源在内的便携式设备提供一种高效率、小尺寸的电源解决方案。
2020-08-03
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无需专用隔离反馈回路，简洁的反激式控制器是酱紫滴~
图1显示了传统的隔离型反激式转换器的架构。这些转换器的功率等级通常可达60W左右。通过调整变压器的匝数比，借助原边开关和可以将电源电压转换为输出电压。有关输出电压的信息会通过反馈路径传输到原边的PWM发生器，以使该输出电压尽可能保持稳定。如果输出电压太高或太低，则将调整PWM发生器的占空比。
2020-07-24
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详解电力晶体管GTR的开关特性
电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管，由于其功率非常大，所以，它又被称作为巨型晶体管，简称GTR。GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的，三层半导体材料的结构形式可以是PNP，也可以是NPN。
2020-07-22
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宽禁带生态系统：快速开关和颠覆性的仿真环境
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。
2020-07-20
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利用防闩锁型ADG5408 8:1多路复用器实现鲁棒的电池监控解决方案
在汽车、军事、过程或工业应用等环境中使用的集成电路可能暴露于超过额定工作限制的条件。在电池监控系统中，可能出现故障条件，并且过压可能施加于这些IC。瞬变过压条件甚至可能使传统的CMOS开关经历闩锁条件。闩锁是一种在故障条件消除之后仍可能持续存在的不良高电流状态，它可能导致器件故障。
2020-07-20
- 面板行业自律控产，1月电视面板价格全线上涨！
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