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SiC Traction?？榈目煽啃曰疉QG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了解了。也就是从衬底到芯片，对于一个SiC功率器件来说只是完成了一半的工作，还有剩下一半就是这次我们要分享的封装。好的封装才能把SiC的性能发挥出来，这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片和封装的开发与验证。
2023-07-10
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新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机
在当前全球经济衰退和整个半导体行业下行周期背景下，汽车半导体似乎成为了一个逆势的窗口产业。与此同时，随着汽车电动化、智能化、网联化、共享化等新四化发展趋势，以及新能源汽车产销两旺的持续景气市场，汽车电子迎来结构性变革机遇。
2023-07-05
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英飞凌碳化硅晶圆处理黑科技——冷切割
近两年新能源汽车和光伏储能市场的火热，让半导体供应上升到了很多公司战略层面的考虑因素。特别是SiC的供应更加紧俏。最近几年用户对SiC的使用更有经验，逐渐发挥出了其高效率高功率密度的优点，正在SiC使用量增大的阶段，却面临了整个市场的缺货的状态。碳化硅功率器件缺货有很多因素，目前前道是最大的瓶颈，特别是前道的“最前端” ，SiC衬底片和外延片是目前缺货最严重的材料。
2023-06-27
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SiC 晶片的切片和表面精加工解决方案
如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步，但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。
2023-06-19
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用沟槽辅助平面栅极工艺流程，确保可靠的栅极氧化物和具有较低传导损耗的器件。测试表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 转换器应用中，温度较低的器件运行温度约为 25°C。据估计，这种温差可将器件寿命提高 3 倍。该公司对其 SiC 产品进行了 100% 的雪崩测试，其示例如图 3 所示。
2023-05-31
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解析智能功率开关
功率器件可以在各种非正常工况下保护自己并报错会大大提高功率器件自身的可靠性和整个系统的安全性。以下图中英飞凌的智能高边经典产品PROFET系列为例，它集成了诊断和?；すδ?Protect)的功率器件(MOSFET)，它可以对异常工况作出反应，并及时向控制单元汇报。尤其是在汽车级的应用中，汽车复杂的电气架构大大提高了电子的故障检测的难度，我们需要知道电路和器件的工作状态，才能快速对故障进行定位。
2023-05-17
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瑞能半导体在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解决方案
【2023年5月9日 - 德国纽伦堡】当地时间5月9日，全球领先的功率半导体供应商瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，?；て骷约肮β誓？?，丰富的产品矩阵彰显了瑞能半导体领先的产品实力和对未来电力电子行业可持续发展的思考，受到了与会者的高度关注。CEO Markus Mosen先生率领公司研发工程师、市场部、销售部组成的参展团队出席了活动现场。
2023-05-10
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安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议
2023 年 4 月 26日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）宣布双方签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）的能效，从而提升性能，加快充电速度，延长续航里程。
2023-05-03
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总结肖特基势垒二极管对宽带隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙材料具有优于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工业界采用宽带隙材料来满足功率器件应用中的低功耗需求。这种需求导致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
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常见的24V电池供电的应用有哪些？
从电动汽车、摩托艇到光伏装置和数据中心，电池供电系统正蓬勃发展。目前的趋势主要是增加系统的运行电压以缩减系统尺寸、重量或增加负载的可用功率。在宽输入功率器件的不断进步下，处在这股潮流最前线的是从 12V 转换到 24V 的应用。
2023-04-24
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RS瑞森半导体在汽车充电桩上的应用
充电桩按照技术分类，可分为交流充电桩也叫“慢充”，直流充电桩也叫“快充”，随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场的发展前景也更加广阔。目前充电桩的母线电压范围通常为400V～700V，但随着快速充电的需求不断增加，整个电压平台都会向 800～1000V以上提升，电压等级提升的同时也凸显了SiC功率器件的优势。
2023-04-18
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针对高压应用优化宽带隙半导体器件
自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来，通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术，可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部分功率器件。对于功率 MOSFET，导通电阻仍然是优化和掺杂其单元设计的关键参数。电导率的主要行业标准是材料技术中的特定导通电阻与击穿电压（R sp与 V BD ）。
2023-04-13
- 强强联手！贸泽电子携手ATI，为自动化产线注入核心部件
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