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反激隔离式开关电源的工作过程
反激隔离式变压器开关电源，首先其是反激式，符合“反激”的定义，即：反激是开关管截止时，传输能量；其次，其有一个隔离式变压器，这个变压器起到隔离作用，同时会有一个匝数比，匝数比与开关管的PWM的占空比共同影响输出电压。不管是AC/DC还是DC/DC，到达变压器的电压其实是一个稳定的直流电压。
2023-09-06
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输入冲击电流抑制电路设计
在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当输入冲击电流过大时，可能触发前端供电设备的过流保护或前端空气开关、断路器等跳闸保护。因此设计出合适的输入冲击电流抑制电路，可以有效的避免设备接通瞬间前端设备触发?；ざＶ构ぷ?，从而提高系统的可靠性。
2023-09-06
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纳芯微容隔技术，从容应对电源难题
电器产品都会用到电源，常见的电源包括调压电源、开关电源、逆变电源、变频电源、不间断电源等。大部分电源都需要有隔离器件，以保证设备和人身安全。因采用的隔离技术不同，隔离效果也不一样。因此，选择隔离产品应该扬长避短，尽可能将系统性能做到最佳。
2023-08-24
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电源应用常见问题之输出异常
本文简述了开关电源应用常见问题中的输出异常问题，并简要分析了问题产生的原因，同时给出了对应的验证方法和解决及预防的办法，以减少电源在不同应用中产生输出异常的可能，提升系统可靠性。
2023-08-17
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如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-15
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为什么开关电源容易出故障？选型时一定要注意这些细节！
有客户朋友曾经分享过几张有意思的图，壁虎“可爱地”挂在了电源PCB板上烧坏的地方?？扌Σ坏弥?，也让客户朋友疑惑，壁虎从哪里爬进去的？电源为什么会烧坏？
2023-08-11
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如何表征电源变压器的 EMI 性能
电源变压器通常是隔离开关电源转换器中共模噪声的主要来源。为什么？因为在变压器内部，隔离栅初级侧和次级侧的绕组非常接近（通常间隔小于 1 毫米），导致相邻绕组之间存在显着的寄生电容。
2023-07-24
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了解这些 就可以搞懂 IGBT
绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。
2023-07-18
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DC/DC开关电源电感下方到底是否铺铜？
电感有交变电流，电感底部铺铜会在地平面上产生涡流，涡流效应会影响功率电感的电感量，涡流也会增加系统的损耗，同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声，会影响其他信号的稳定性。
2023-07-04
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应用问题解析——LS系列的安规距离设计
本文简述了客户在实际应用金升阳开关电源LS系列的过程中遇到的安规问题，梳理并提出相应的解决方案，以便客户在使用过程中能更好的理解和应用；
2023-06-28
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输出过压保护电路的设计思路
开关电源在使用过程中会发生输出电压过高或者过低的现象：开关电源存在一个额定电压，如果超出额定电压就可能超出输出电容的耐压值，电源会因此发热击穿而烧毁甚至起火，因此设计出不同类型的保护电路，当控制电路失效或其他故障导致电压升高时，关闭电源的输出，从而?；じ涸?，提高系统的可靠性。
2023-06-28
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如何在电源上选择MOS管
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。
2023-06-23
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