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2012全球光伏装机将达26.9GW 增长11.9%

去年太阳能光伏行业一直未摆脱供过于求的难题，光伏产品价格大幅下滑。多数太阳能光伏企业都遭遇亏损。然而，太阳能光伏系统成本的快速下降促使需求量大幅增长。尽管欧洲太阳能光伏市场受到资金缺乏的影响，但是2011年全球太阳能光伏市场将增长了17.1%，至24GW。

2012-01-17
智能型太阳能充电电路设计与实现

本文设计的智能型太阳能充电电路，具有工作性能稳定，运行安全可靠、低损耗，高效率、结构简单，输出电压精度高等优点。自动调节占空比的供电网络与电源管理芯片的相结合，过压与过放电?；?，自动跟踪太阳等功能是比较有创造性的设计方式，特别是将这些设计应用到油田无线示功仪和无线网络节点中，是一种崭新的尝试，也是应用上的突破。

2012-01-16
太阳能低压钠灯电子镇流器研发解决方案

太阳能作为绿色能源将是国家大力推广的节能项目，而低压钠灯是照明工程节能改造及太阳能照明系统的最佳光源，它以其高光效200lm/W及长寿命，视见分辨率高，对比度好，不受环境温度影响的优点而被广泛应用于道路、高架桥、隧道和交叉路口等能见度高和显色性要求不高的地方。

2012-01-13
TMBS? TrenchMOS：Vishay发布12个采用不同封装的45V 势垒肖特基整流器

Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS? TrenchMOS势垒肖特基整流器器件可用于光伏太阳能电池旁路保护，具有10A～40A的宽额定电流范围，在20A电流下的典型VF低至0.51V

2012-01-12
2012年全球光伏需求市场预计将增长6%

近日，国际光伏研究机构“太阳能普资”发布最新行业报告指出，2012年全球光伏需求市场预计将增长6%，欧洲市场的下滑将被其他地区43%的增长率弥补。报告还称，资金压力迫使太阳能光伏企业转变重心，因此2012年太阳能光伏企业的首要任务是改善财务状况。

2012-01-12
国内光伏业迎“好兆头”“内需”即将大规模启动

国家能源局透露，到2015年太阳能发电将达到15GW，年发电量200亿千瓦时，这为国内光伏业投资太阳能电站以消化过剩产能提供了契机.

2012-01-10
未来几年电池组件翻倍增长市场中心向亚太地区转移

09-10年，太阳能电池组件市场以德国、意大利及西班牙等欧洲国家为中心，约占全球销售额的80%。但随着各国政策、补贴以及电池组件价格的变化，电池组件市场中心将会大逆转，从欧洲转移至亚太地区。数据显示，到2015年，亚太地区的太阳能电池组件出货份额将从2011年的22.9％扩大至49.3％。相反，2015年欧洲的出货份额将从2011年的66.4％缩小至38.7％。

2012-01-09
启动内需或是应对光伏寒流最佳途径

近年来，世界新能源产业的飞速发展促成了中国太阳能光伏产业的崛起。不过，受欧债?；挠跋?，光伏产业在国际市场形势日趋严峻，其严重依赖出口的国内光伏企业订单大幅萎缩，内需严重不足的弊病也随之浮出水面，启动国内市场也已成为业界的共识。

2012-01-06
太阳能上游现货价回升明年发展趋势不明朗

根据集邦科技(TrendForce)旗下太阳能研究机构EnergyTrend本周的调查，目前现货市场的价格走势出现分歧态势，在电池与?？椴糠种沟匚龋欢诙嗑Ч韬途г苍虺鱿只卣堑南窒?；另一方面，在合约价的走势上，2012年在多晶硅与晶圆方面都传出调涨的声浪，但买卖双方目前针对合约价格的看法仍然存在满大的差异。2012年的市况走势仍然扑朔迷离，整体来看并不具备调涨的诱因，因此EnergyTrend认为2012年合约价调涨成功的机率不大。

2011-12-31
STW88N65M5：ST 推出MDmesh V功率MOSFET晶体管

意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度；现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上，对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器，新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。

2011-12-30
明年一季度太阳能光伏产品价格或将上扬

据Digitimes分析师透露，太阳能光伏行业出现2012年第一季度的大量紧急订单，部分光伏产品价格保持稳定，多晶硅和6寸多晶太阳能硅片价格出现上扬。

2011-12-30
意法半导体（ST）巩固在能效功率控制市场的领导地位

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度；现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上，对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器，新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。

2011-12-29

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