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SD486X系列：士兰微电子推出绿色节能电源控制器
杭州士兰微电子即将推出应用于开关电源的内置高压MOSFET、电流模式PWM+PFM控制器——SD486X系列芯片。该系列芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI，最高效率可以达到84％以上，启动电压、输出电压和最大功率均可调节。目前芯片可以提供的功率范围为：宽电压范围5~18W，窄电压范围7~21W?？晒惴河τ糜诨ズ?、DVD播放机、电源适配器等整机产品中。
2009-11-19
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汽车电子发展：网络化 智能化 安全 IVI
汽车电子正朝着网络化和智能化的方向发展，电子控制装置将通过CAN总线提供稳定、可靠的低成本网络连接;电机、开关、传感器和车灯等则通过本地互连网络(LIN)进行网络连接。
2009-11-18
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多模手机中的天线接收
多频手机设计面临着很大挑战，因为所有这些信号工作在不同的频宽，而且它们都需要接取天线。为了取得最佳性能和外形尺寸，它们最好能透过单一射频开关接取天线。
2009-11-17
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IR推出75V低侧智能功率开关，适用于严苛的24V汽车环境
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出 AUIPS2051L 和AUIPS2052G 75V 低侧智能功率开关 (IPS) ，适用于严苛的 24V 汽车环境，包括卡车接线盒应用。
2009-11-05
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JLS-50激光物位变送器新品上市
昆仑海岸8月份推出新品：JLS-50激光物位变送器，已经形成了由液位变送器、超声波物位变送器、射频物位开关、浮球液位变送器、浮球液位开关、双界面油水分析仪、电容物位计、雷达物位计等全系列的物体测量产品。
2009-11-04
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安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
2009-11-03
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零电压开关全桥转换器设计
很多电源管理应用文章都介绍过采用ZVS(零电压开关)技术实现无损转换的优势。为了实现ZVT(零电压转换)，漏－源电容与FET的体二极管等寄生电路元件被用于实现谐振转换，而不是任由其在缓冲电路中耗散。本文主要介绍零电压开关全桥转换器设计。
2009-11-03
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长英科技推出温湿度传感器—机房温湿度测量
LTM9950 CROSS系列机房安全防护系统设计理念满足当前的小型机房监测要求。设计小巧的设备,却将采集、显示、传输等诸多方面都巧妙的集成到了一起,除了能采集常见的温湿度数据、还预留了两路开关量接口,现场维护人员可以根据自身机房的实际情况,酌情添加地面积水、玻璃破碎、或红外防非法侵入等信号的采集。正所谓：麻雀虽孝五脏俱全。
2009-11-02
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利用“软启动电路”消除开关电源浪涌电流
传统的输入浪涌电流限制方法是串联负温度系数热敏限流电阻器(NTC)，然而这种简单的方法具有很多缺点：如NTC电阻器的限流效果受环境温度影响较大、限流效果在短暂的输入主电网中断(约几百毫秒数量级)时只能部分地达到、NTC电阻器的功率损耗降低了开关电源的转换效率……。其实上面提出的这两个问题可以通过一个“软启动电路”来解决，下面详细介绍之。
2009-10-29
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3RG7 BERO:西门子光电式传感器
光电式传感器非接触地探测物体，广泛用于许多自动化领域，如管理系统、机械制造、包装工业等。 西门子为这些不同的应用领域提供了极大范围的产品，从直径只有4 mm、可探测距离50mm的BERO微型接近开关到传输距离达25 m耐用方形K80传感器，再到极精密的BERO激光传感器，传输距离达50 m。
2009-10-27
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基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题，从而优化MOSFET的驱动性能，提高整个系统的可靠性。
2009-10-26
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理解功率MOSFET的开关损耗
本文先分别介绍了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相对应的Qg，Qds和Qgs在开关过程中对开关损耗的影响?；谠诶硐胱刺?，用工程简化方式计算出MOSFET在开关过程中不同阶段的开关损耗，并分析出Crss及相对应的Qgd对于MOSFET管的开关损耗起主导作用。然后，论述了在实际状态下，Coss对开通和关断过程的影响，由此得出：用工程简化方式计算的开关损耗的值与实际状态下开关损耗的结果基本是一致的。最后阐述了功率MOSFET管自然零电压关断的过程。
2009-10-26
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