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贸泽电子与Innodisk签订全球分销协议，提供工业级存储产品
2022年6月6日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Innodisk签订新的分销协议。Innodisk（宜鼎国际）是工业级嵌入式闪存与DRAM存储产品和技术的知名供应商，专注于企事业单位以及工业、医疗与航空航天等行业。
2022-06-06
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Xilinx FPGA DDR3设计（一）DDR3基础扫盲
DDR3 SDRAM 全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代双倍速率同步动态随机存储器。双倍速率（double-data-rate），是指时钟的上升沿和下降沿都发生数据传输；同步，是指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的；动态，是指DDR3中的数据掉电无法保存，且需要周期性的刷新，才能保持数据；随机，是指可以随机操作任一地址的数据。
2022-05-12
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SRII推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔(More-than-Moore，MtM)器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。
2022-01-26
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微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
2021-08-23
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美光率先于业界推出 1α DRAM 制程技术
2021年 1 月 27 日，中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后，美光实现的又一突破性里程碑，进一步加强了公司在业界的竞争力。
2021-01-27
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美光携手联想、联宝科技成立联合实验室，加速开发下一代PC和笔记本电脑
2021年 1 月 25 日，中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 今日宣布携手联想及联宝科技 (联想旗下最大的制造和研发机构) 成立联合实验室。该实验室是内存和存储业界首家同时联合原始设计制造商 (ODM) 及原始设备制造商 (OEM) 的联合实验室。这种独特的三方合作模式将加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿创新技术 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在联想产品设计中的应用，从而更好地满足用户的核心工作负载需求。
2021-01-27
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浅谈存储器芯片封装技术的挑战
存储器想必大家已经非常熟悉了，大到物联网服务器终端，小到我们日常应用的手机、电脑等电子设备，都离不开它。作为计算机的“记忆”装置，其主要功能是存放程序和数据。一般来说，存储器可分为两类：易失性存储器和非易失性存储器。其中，“易失性存储器”是指断电以后，内存信息流失的存储器，例如DRAM（动态随机存取存储器），包括电脑中的内存条。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM开创宇航新时代
为了发掘宇航市场的潜力，卫星运营商正通过提供增值服务，如超高分辨率成像、流媒体视频直播和星上人工智能，提升星上处理的能力以减少下行链路的需求。从2019年到2024年，高吞吐量载荷的市场需求预计增长12倍，带宽增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro开源DRAM控制器添加对RPC DRAM的支持
物联网是从半导体技术的小型化中受益匪浅的领域之一，因为更多的计算能力可以被封装到越来越小的设备中。由于体积缩小、功耗降低，各种设备（包括支持人工智能的设备）的应用方式在几年前是不可能实现的。这一领域最令人兴奋的发展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出现，这是一种小尺寸的存储器，Antmicro已经开发了对开源内存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小课堂】工业级VS消费级，一文读懂存储小秘密
面对众多类型的高性能存储产品时，你是否曾有过“选择困难”？遇到DRAM、存储卡和固态硬盘时，你是否也曾傻傻分不清楚？没关系，以后你不必再为此苦恼。
2020-07-13
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漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永远代表低预算
闪存控制器的设计要么具有外部 DRAM（动态随机存取内存）接口，要么就没有具备。一旦部署在其应用程序中，像是SSD和其他闪存设备（如USB磁盘驱动器）中，具有DRAM的设备通?？梢蕴峁┙细叩男阅堋Ｕ馔ǔＪ撬婊阅?。
2020-02-13
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