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在可控硅整流器的正常工作过程中，晶闸管关断过电压?；ご胧┑纳柚?，是保证整流器安全运行的重要保障。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在可控硅的关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小，这也就意味着diG/dt极大，由此所产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压。数值可达工作电压的5到6倍。?；ご胧涸诰д⒐芰蕉瞬⒔幼枞菸盏缏贰?/div>

 

除了晶闸管关断过电压?；ご胧┲?，可控硅整流器的交流侧过电压?；ひ餐潜夭豢缮俚摹Ｔ诘缏废低车纳杓乒讨?，由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，因此会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压，而这种瞬时过电压对整流器的危害是相当大的。想要对瞬时过电压进行控制，并保障可控硅整流器的安全工作，工程师可以选择在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，这种设置能够显著减小这种过电压。

 

直流侧过电压?；?/strong>

 

可控硅整流器的直流侧过电压?；ご胧?，也同样是非常重要的。当负载断开时或快熔断时，储存在变压器中的磁场能量会产生过电压，显然在交流侧阻容吸收?；さ缏房梢砸种普庵止缪?，但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大，还不能完全消除。想要对直流侧过电压进行抑制，目前工程师们常用的方法是使用压敏吸收进行?；ぁ３酥?，整流器的过电流保护也同样是需要工程师进行逐一的，通常情况下的做法是添加快速熔断器进行保护，实际上它不能?；た煽毓?，而是?；け溲蛊飨呷Α?/div>

 

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