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世界上首个六英寸4500A晶闸管顺利通过额定电流运行
灵宝背靠背扩建工程于2009年11月25日3:15一次成功达到由华中向西北输送功率750MW、直流电流4500A,标志着世界上首次国产的六英寸4500A晶闸管一次性完成额定电流的考核,实现了额定功率的输送。
2009-12-01
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安森美半导体推出新晶闸管浪涌?;て骷盗?/a>
2009年9月25日 – 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出新的超低电容晶闸管浪涌?;て骷?TSPD)——NP-MC系列,?;っ舾械牡缱由璞该馐芩蔡骨榭鱿碌挠跋?。NP-MC系列器件的电容值比市场上现有产品低40%至50%,以极低的信号失真?;じ咚賦DSL、T1/E1及其它宽带数据传输设备。
2009-09-29
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中国南车建成最大的大功率半导体产业基地
9月8日,随着第一批高压大功率晶闸管正式投片,国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。
2009-09-17
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功率器件在静止变频技术中的应用
本文主要讲述:晶闸管的使用与保护以及在变频技术中的应用
2009-09-17
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意法半导体推出高温栅灵敏型双向晶闸管
意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出首款栅灵敏度10mA、额定工作温度高达150℃的双向晶闸管。通过节省散热器、栅驱动电源和缓冲电路,新产品可以让设计人员为加热器、电机、小家电开发低成本的电源驱动解决方案。
2009-07-02
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如何使高速数据接口和电信设备免受ESD与过载危害
本文介绍了安森美的ESD?;げ废撸═VS和ESD?;て教??;菇樯芰税采赖?span id="5n233hq" class='red'>晶闸管浪涌?;て骷?TSPD)系列 ,TSPD导通速度快、电压精度高和电流能力高且不存在功率限制,可对瞬时浪涌提供极佳的保护,可以对室外国工作的电信设备进行有效的保护,使他们免受静电放电、闪电浪涌、电力故障造成的过载情况的损害。
2009-02-11
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安森美晶闸管浪涌?;て骷?/a>
本文主要介绍了一种晶闸管浪涌?;て骷═SPD),首先分析得出一个简单的晶闸管的?;ぬ匦允呛懿欢猿频?,为具备对称的过压?;?,提出必须使用两个反平行的晶闸管来实现,即晶闸管浪涌?;て骷═SPD),接着分析了它的电流-电压曲线特性,最后举例说明TSPD有双向和单向之分。
2008-10-24
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用于软起动器的晶闸管??镾EMiSTART
本文介绍了电机起动控制的三种方式,软起动器对晶闸管的要求,晶闸管??橹惺褂玫淖芭浜土蛹际跻约癝EMiSTAT??榈募际踔副辍?/p>
2008-10-22
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晶闸管直流稳压器的过流和短路?;?/a>
本文描述了在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下,将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器,就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路?;?简化了电路结构,并提高了整机的稳定可靠性能和AC - DC变换效率。
2008-10-16
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IGCT门极驱动电路的原理分析
在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷。ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件—IGCT。它的关键思想是将改进结构的GTO与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接。在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件。着重对IGCT门极驱动电路的结构和原理进行了介绍和分析。
2008-10-14
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三端双向晶闸管的功耗计算和Tjmax预测
三端双向晶闸管在工作时消耗大量电能,因而其散热设计非常重要。散热设计主要涉及到功率、热阻和温度升高等几个计算阶段。本文介绍的是设计计算以及设计案例,其数据主要来自实际应用和三端双向晶闸管的数据表。
2008-10-11
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HiTj Snubberless:意法半导体高结温双向晶闸管系列
意法半导体推出一系列全新高温双向晶闸管,能够把全部的标称性能保持到最高150摄氏度。新系列产品的开关性能十分出色,是各类设备的电机控制电路的理想选择,特别适用于在最高工作温度下控制电机的电路系统。
2008-02-21
- 面板行业自律控产,1月电视面板价格全线上涨!
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