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应用于变电站直流系统的新型高频开关充电电源
目前，在国内市场上应用的充电电源主要有磁饱和充电机、晶闸管整流器和高频开关充电电源等三类，其中前二者技术成熟，推广应用的时间已久，使用面也很广。但由于受控制技术和元器件特性的限制，仍存在许多不足之处。
2013-01-07
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如何将快速晶闸管KK400和KK1000应用于某加速器电源系统中
脉冲功率技术是一种能量密度“压缩”技术,它通过开关的瞬时导通把较长时间内储存的能量在很短的时间(μs或ns量级)内释放出来,形成幅度达数十kA甚至数百kA的强电流脉冲。
2013-01-07
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浅析采取低闪变控制方式的新型整流电源
与交流电弧炉相比，直流电弧炉对电网的干扰和冲击以及给电网造成的闪变要小得多。但是整流器整流输出电压Ud是晶闸管触发角α的函数，为了降低整流输出电压，必须增大α，这会增大交流电压和交流电流之间相移因数φ，因此增加了无功功率损耗，同时也降低了功率因数，为了使无功功率损耗尽可能小，电弧炉变压器要有抽头切换开关。
2012-12-31
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浅谈如何用晶闸管交流电子开关解决电铁谐波问题
电气化铁路（ 以下简称电铁）的谐波问题是一个关系到公用电网电能质量和电铁顺利建设的重大问题, 我国从80 年代处就开始致力研究、解决这一问题。串联补偿装置可以在一定程度上解决这一问题, 而且由于其技术难度低、投资小、易于实现, 因而在单线电铁的复线改造工程中显示出了极大的优越性。
2012-12-29
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MOS晶体管
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。MOS栅极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性，可望具有优良的自关断动态特性、非常低的通态电压降和耐高压，成为将来在电力装置和电力系统中有发展前途的高压大功率器件。目前世界上有十几家公司在积极开展对MCT的研究。 MOS栅控晶闸管主要有三种结构：MOS场控晶闸管（MCT）、基极电阻控制晶闸管(BRT)及射极开关晶闸管(EST)。
2012-12-13
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如何减小感应加热电源谐波电流
传统感应加热电源整流变换一般采用晶闸管相控整流或二极管不控整流方式，为获得较为稳定的直流电压，整流后往往采用大电容储能兼滤波，导致电网输入侧功率因数非常低，电流畸变，对电网造成谐波污染;此外，还对周围及自身系统的信号产生严重的电磁干扰，系统效率降低。为了减小谐波电流、提高功率因数，有必要采用功率因数校正技术(APFC)。
2012-12-11
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晶闸管及其应用？
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，由PNPN四层半导体材料构成，它有三个极：阳极，阴极和门极。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
2012-12-07
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可为耦合变压器芯片提供强大?；さ?span id="5n233hq" class='red'>晶闸管
Littelfuse研发出了新的SDP系列SOT23-5 SIDACtor ?；?span id="5n233hq" class='red'>晶闸管，为VDSL2+、ADSL2应用提供第三级?；し桨?，SOT23-5表面贴装封装可减少布局占用空间，背对背配置可为数据线提供对称ESD?；ぃ嬖诮涣餍藕攀币部墒褂?。
2012-11-29
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晶闸管触发电路
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性。
2012-11-29
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双向晶闸管的分类
据小编所知双向晶闸管是由N-P-N-P-N五层半导体材料制成的，对外也引出三个电极，其结构如图所示。双向晶闸管相当于两个单向晶闸管的反向并联，但只有一个控制极。尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向晶闸管一般采用塑料封装，有的还带散热板。大功率双向晶闸管大多采用RD91型封装
2012-11-29
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双向晶闸管的过零检测电路该如何设计？
双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
2012-11-28
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什么是可控硅
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
2012-11-28
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