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测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2022-10-11
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IGBT适用于ZVS 还是 ZCS？
提到软开关技术，大家耳熟能详的有零电压开通ZVS（Zero voltage switching） 和零电流关断ZCS（Zero current switching），同时，尤其是在现在的电源产品中，绝大多数的采用软开关拓扑的电源产品都选择了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同学提到ZVS时想到的主要功率器件搭档，而不是IGBT。
2022-10-11
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微源半导体电源开关选型攻略
电源开关可提供电压源到负载的电气连接，通过对系统中的多条电压轨的通断控制，来降低系统整体功耗，且集成的各类?；すδ埽诒；ぷ酉低趁馐芩鸹档耐保嗫杉蚧杓萍跣“迳厦婊?。
2022-10-08
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利用ADP1055数字开关稳压器改善动态环路响应
DC-DC转换器通过反馈控制系统，将不断变化的输入电压转换为（通常）固定的输出电压。反馈控制系统应尽量保持稳定，以避免出现振荡，或者发生最糟糕的情况：输出未经调节的输出电压?？刂葡低车乃俣扔】赡芸?，以响应动态变化，例如快速输入电压变化或输出端的负载瞬态，并最大程度地减少调节后的输出电压偏差。
2022-10-08
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为何在开关稳压器中，电流模式控制非常重要？
市场上有数千款不同的开关稳压器。用户基于不同的参数选择所需的类型，例如输入电压范围、输出电压范围、最大输出电流，以及许多其他参数。本文介绍电流模式，这是数据手册中常见的一项重要特性，并介绍该模式的优缺点。
2022-09-30
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电气化和智能化，会给汽车上的MEMS带来什么变化？
微机电系统（MEMS）是一种紧凑型设备，在单个硅芯片上组合各种功能，如机械、光学、流体和电子，是医疗、运输和电信领域发展的主要支持技术。MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS压力传感器、MEMS开关、MEMS振动能量采集器、MEMS生物传感器、MEMS振荡器，这些都是大家耳熟能详的产品。
2022-09-29
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高转换率、符合CISPR 5类电磁辐射标准的稳压器长这样
当设计中需要优先考虑并尽可能减少EMI（电磁干扰）时，线性稳压器可以算得上一种低噪声解决方案，但考虑到散热和效率要求其并不适用于该种场景，反而需要选择开关稳压器。即使在对EMI敏感的应用中，开关稳压器通常也是输入电源总线上的第一个有源元件，无论下游变换器如何，它都会显著影响整个转换器的EMI性能。确?？梢酝ü缭碔C的选取可以抑制EMI并达到效率要求，LT8614 Silent Switcher?稳压器做到了这一点。
2022-09-29
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高性能降压稳压器解决了电流环路中发送器电路的功耗问题
本文介绍如何使用 LT8618（一款100 mA的高速同步单片降压型开关稳压器）代替LDO稳压器，为电流环路发送器设计紧凑型电源。我们对其性能进行了评估，并选择符合严格的工业标准的器件。此外还提供了效率、启动和纹波测试数据。
2022-09-28
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内行看门道，你知道这些酷酷的应用是怎么实现的吗？
胎压监测几乎成了中高端汽车的标配，但是胎压监测其实并不是很多人认为只要有一个压力传感就可以了哦，实际上目前大部分的胎压监测里也集成了一个加速度计，作为启动开关来触发胎压监测的装置。
2022-09-27
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【干货】强大的4开关升降压BOB电源，可升可降、能大能小
基于电感器的开关架构电源有3中常见的拓扑结构，分别是BUCK降压电源、BOOST升压电源以及BUCK-BOOST负压电源，今天介绍的第4中拓扑——4开关BOB电源，在手机、汽车、嵌入式等领域都有广泛应用，它的基本工作原理是怎样的呢？有什么优势呢？
2022-09-27
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如果把开关电源的频率无限提升..........
估计很多新手工程师在设计开关电源计算变压器时发现，把电源的开关频率提高后变压器磁芯更加不容易饱和，或者说可以用更小的磁性做出同样功率的电源，甚至在想把开关频率无限制提高来无限制缩小变压器的体积。
2022-09-26
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关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和释放引起的。因此，关断时的栅极电压欠冲会对碳化硅（SiC）MOSFET的开关特性产生影响。
2022-09-20
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