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放大器设计：晶体管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶体管的区别
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2022-11-24
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近距轻扫和运动感知视频展示雷达IC应用
我爱方案网联手芯片原厂富奥星电子建设方案商生态，推出基于多普勒效应的雷达感知芯片模组，可实现非接触式手势开关、人体近距唤醒、运动感知和人体存在感知等功能。我们收集到方案商应用场景视频，分享给大家，给予设计灵感启发。
2022-11-23
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如何延长继电器开关寿命和可靠性
随着高性能机电继电器在军事和航空航天应用中继续发挥重要作用，工程师必须满足所有电气要求。一个关键领域是通过符合制造商的继电器产品性能规格来延长继电器开关在容性瞬态高浪涌电流条件下的使用寿命。电容器会产生高电流浪涌，会对此类应用中的电路性能产生不利影响。这些瞬变虽然性质非常短暂，但可以大大超过高性能机电继电器中触点的稳态额定值。
2022-11-21
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LLC转换器的工作特点
在下面的表格中，汇总了当着眼于上一篇文章中给出的基本电路的一次侧MOSFET时，LLC转换器的优缺点。LLC转换器通过部分谐振方式实现ZVS工作，部分谐振方式是使用激励电流对MOSFET的输出电容Coss进行充电和放电。这样可以减少开关损耗，从而可以减小MOSFET封装和散热器的尺寸。
2022-11-17
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桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。
2022-11-16
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最大限度减少功率电感的 EMC 干扰
通常，开关型稳压电源没有功率电感就不能工作。但是，如果您想改善它们对EMC的性能，可以从几个方面入手，包括屏蔽效率、绕组起绕点和开关转换。
2022-11-15
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开关电源：关于TL431电路的电阻取值
据我们了解，这里面一些电阻是跟环路相关的。不过在设计的时候，我们首先需要保证的不是环路，而是这个电路能不能工作起来，也就是说要给TL431合适的偏置。这个应该很容易理解吧，类似三极管放大，前提也是要给对直流偏置。
2022-11-14
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220V直接串联电阻降压5V能给手机充电吗？
市面上比较正规的手机充电器采用的是开关电源设计方式，通过高频变压器将高压部分与低压输出部分完全隔离!是非常安全可靠的!因此大家购买手机充电器时，一定要选择品牌、质量可靠的充电器，安全、放心!
2022-11-14
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还没使用SiC FET？快来看看本文，秒懂SiC FET性能和优势！
在功率电子器件领域，工程师们梦想有一种完美的半导体开关，它没有导电损耗和开关损耗，电压无穷大，没有漏电且易于驱动。不幸的是，物理学告诉我们，它仅仅存在于梦想中，但是采用最新SiC FET宽带隙半导体的开关已经非常接近这一理想开关，这种半导体开创了新的应用领域，提升了旧开关的效率，还有助于节省能量和成本。
2022-11-11
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RS瑞森半导体高压MOS在开关电源中的应用
开关电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是电源供应器的一种高频化电能转换装置，也是一种以半导体功率器件为开关管，控制其关断开启时间比率，来保证稳定输出直流电压的电源。
2022-11-10
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Interlock互锁电路在不同驱动器下的实现
在电机驱动、逆变电源等应用中，桥式电路是最基本的拓扑，典型三相桥式逆变电路如下图1所示。而桥式电路中的任一桥臂，其上下管一般采用180°导通方式，即上下管互补开关，为避免上下管直通，可采用插入死区的方式把上下管导通时刻错开。但是，实际应用中微控制器可能因为程序错乱或上电过程中IO默认高电平等原因，使得上下管驱动信号同时为高电平（有效电平），从而上下管发生同时导通（Shoot Through），这将可能带来烧坏功率?？榈难现睾蠊?。Interlock即互锁电路就是针对该工况而设计的，可有效提高系统可靠性。
2022-11-09
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详解高压热插拔控制器SGM25701A
SGM25701A 高压热插拔控制器可用于拔出实时系统背板或功率源时，以及插入电卡时，为后级电路提供电源连接和智能控制。外部 N-MOSFET 中的电流限制和上电期间所驱动外部开关的功率消耗限制可进行设置，从而确保其在安全工作区间 (SOA) 内运行。此外，输入欠压锁定和过压?；ごシ⒑突指吹闹突兀约暗缭唇尤胙映偈奔浜凸收霞觳馐奔渚山猩柚?。
2022-11-08
- 面板行业自律控产，1月电视面板价格全线上涨！
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