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高性能IGBT提高太阳能逆变器效率

飞兆半导体的截止沟道式IGBT适用于不间断电源、太阳能逆变器以及微波炉和感应加热类的应用，可以帮助设计师减少传导损耗和开关损耗，实现极高的效率。

2008-11-25

NTB54XXN/ntp54XXN：安森美中等电压功率MOSFET系列

安森美半导体推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。

2008-11-14

PA-Cap聚合物片式叠层铝电解电容器在模拟CPU电源的应用实验

在计算机CPU的电源线路中，当负载高速变化时会产生大的电压波动，去耦电容器作为缓冲器能提供一个瞬时电流以稳定电压。本文通过实验验证了在模拟CPU电源中PA-Cap电容器的优越性，同时证明了PA-Cap电容器用在开关电源和数字电路中是最好的选择。

2008-11-05

用RC低通滤波器防止振荡

本文分析了微型开关的振荡，提出了RC滤波器构成的振荡防止电路。

2008-11-03

如何应对多频手机中的天线问题？

本文主要针对多频手机中的天线设计问题讨论手机天线开关，分析了多频手机对开关性能和技术的需要，阐明射频开关必须能够切换最多9条大功率射频信号通道，并且要具有低插损、高隔离和线性度。

2008-11-02

IGBT驱动与?；ぜ际踉谥绷鞯魉傧低持械挠τ?/a>

IPM驱动和?；さ缏返难芯?/a>

MOSFET及MOSFET驱动电路总结

常用MOSFET管主要有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，两者在导通的时候都会有导通损耗和开关损失出现，要想办法降低这两种损失。在MOS管的驱动问题方面，除了要考虑导通电压的问题，速度也是一个考察的方面。

2008-11-02

步进电机H桥驱动电路设计

本文设计的步进电机H桥驱动电路，使加到电机绕组上的电流信号前后沿较陡，降低了开关损耗，改善了电机的高频特性，同时具有多种?；すδ埽笛橹っ?，该驱动电路简单、可靠并具有优良的驱动性能。

2008-11-02

使用栅极电阻控制IGBT的开关

栅极电阻会影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。一般情况下，减小栅极电阻阻值可降低IGBT的开关损耗，但同时也必须注意快速的导通关断所带来的电压尖峰和电磁干扰。

2008-11-02

PhotoMOS继电器的典型控制电路

机械式继电器的缺陷是灵敏度差、存在动作噪声以及开关次数多影响寿命等问题。本文主要介绍了PhotoMOS继电器控制电路的特点、结构和典型电路，以及确?？煽渴褂玫淖⒁馐孪?。

2008-11-02

数字化开关电容滤波技术应用

本文介绍了数字化开关电容滤波技术，并设计了可以通过改变开关时钟频率来自由调整中心频率的开关电容带阻滤波器，使中心频率具有很高的精度和稳定度,提出的抗混叠滤波技术能有效消除高频混叠和噪声干扰。

2008-11-01