-
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因
氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。
2023-04-19
-
是时候从Si切换到SiC了吗？
在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么，你从哪里开始呢？
2023-04-18
-
PFC电路：栅极电阻的更改
在实际的电路设计工作中，降噪是的一项重大课题，通常，可以通过提高开关器件的栅极电阻来抑制噪声，但其代价是效率降低（损耗增加），因此很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。在本文中，我们来探讨当将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，最大栅极电阻RG的情况。另外，由于噪声需要实际装机评估，所以在这里省略噪声相关的探讨。
2023-04-14
-
使用HRPWM的注意事项
随着新能源领域的发展, 在数字电源控制系统中要求功率密度高且转换效率高。其中,整机功率密度的提升，就需要提高开关频率, 大部分现有产品的开关频率在50k~200kHz。然而, 由于SiC/GaN器件的大面积推广与使用, 开关频率已经提升到500kHz，甚至1MHz。当系统的开关频率超过200kHz时，此时PWM脉宽的调节精度会变低, 这就需要使用高精度模式的PWM调制。我们把用于扩展传统ePWM?？榈氖奔渚鹊哪？? 称之为高精度PWM(High resolution PWM)。本文将对C2000TM片上HRPWM?？榈墓ぷ髟?、使用方法和注意事项进行详细讨论，并以实际案例进行展示。此外，HRPWM模块也可以作DAC输出用来实现模拟信号的观测。
2023-04-12
-
开关转换器的8位嵌入式设计应用
为基于微控制器（MCU）的嵌入式设计减少物料清单（BOM）成本和尺寸是首要设计考虑因素之一。在带有开关转换器的8位MCU设计中实现这些设计目标的途径之一，是采用高频时钟输出来驱动这些开关转换器，而不是采用传统的低频脉宽调制（PWM）输出。这种技术可以减少开关转换器中电感器容量大小，从而降低BOM成本和电路板空间需求。
2023-04-11
-
宽带隙半导体在航空航天和卫星方面的应用
宽带隙 (WBG) 半导体在电源转换方面具备几个优势，如功率密度和效率更高，同时可通过允许使用更小无源元器件的高频开关，减少系统尺寸和重量。这些优势在航空航天和卫星动力系统中可能更加重要，因为尺寸和重量在这些领域中更为关键。本文探讨了碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等 WBG 元器件在这些应用中的相对优势。
2023-04-08
-
双向双极结技术的力量
B-Tran 等半导体电源开关是各种高效和清洁能源应用的电源转换中的关键组件。这些应用包括电动汽车、可再生能源发电、储能、固态断路器 (SSCB) 和电机驱动。提高半导体功率开关元件的效率和性能可以带来广泛的好处，提高经济性并加速这些应用的部署。
2023-04-06
-
了解用于模拟／数字转换器的单传输对串行通信的新 JESD204 标准
数字设计人员可能非常熟悉在模数转换器 (ADC) 和逻辑设备之间路由高速数字线路的挑战。必须非常小心，以确保高速走线之间有足够的间距，并确保数字信号不跨越模拟边界。不良布局将导致数字开关噪声反馈到 ADC 的模拟输入中，从而降低整体系统性能。
2023-04-05
-
智能节能插座的设计
计算机外部设备(如打印机、扫描仪、音响等)的待机能耗不但增加了消费者的日常电费开支，也使电力资源浪费极大。该设计的计算机智能节能插座利用主机的开机和关机来带动其他设备的开或关，使其接口设备待机能耗为零，能够减少计算机及其外设所产生的辐射，以此达到节能和环保功效；同时还具备有分段定时开关的功能。该智能插座也可以通过功能转换作为普通插座使用，不影响其他设备的使用。
2023-04-04
-
设计基于 GaN 的电源系统的更简单方法：比较市场上的集成驱动器产品
氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 为电源系统设计人员提供了一个令人兴奋的新选择。与硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他们能够显著降低开关损耗并提高电源效率，并支持更高的开关频率，从而减小系统尺寸和重量。
2023-03-29
-
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容
减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种类型的方式过去已经用于后道工序 (BEOL) 中，以减少金属互连之间的电容 [1-4]。本文中，我们将专注于前道工序 (FEOL)，并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一个虚拟的制造软件平台，可以在设定的半导体工艺流程内模拟工艺变量。利用SEMulator3D?设备中的实验设计 (DoE) 功能，我们展示了寄生电容与刻蚀深度和其他用于制作空气间隙的刻蚀工艺参数的相关性，以及它与空气间隙大小和体积的相关性。
2023-03-27
-
为什么测量精度对 EV 性能至关重要
使用传感器测量电路中不同的功率相关参数时，会遇到不同的挑战。主要挑战是保持传感器和电源电路之间的电气隔离，以防止电源电路波动对测量的影响。高效隔离还有助于保持高频开关电路中的测量精度，该电路极易受到这些高频开关通过接地环路产生的噪声的影响。
2023-03-25
- 面板行业自律控产，1月电视面板价格全线上涨！
- AI需求引爆市场，DRAM价格连季狂飙，第二季度预计再涨20%
- 存储市场彻底疯狂！存储芯片暴涨10倍，终端产品承压
- 赋能自主系统！贸泽开售Xsens Avior OEM IMU，解锁高精度姿态数据
- 贸泽开售Molex PowerWize互连器件，覆盖核心大功率应用
- HUAWEI XMC从容试驾体验活动，探索“从容出行”新方式
- 意法半导体荣膺2026年全球杰出雇主
- - 硬核实力赋能存储升级——奎芯科技ONFI IP技术解析
- 以综合数字孪生为基，构建航空航天整体协同系统工程
- Allegro创新解决方案助力电动汽车 、AI数据中心及清洁能源系统提升功率密度与效率
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
