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650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
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创新自动功率电子分析与测试方案亮相电源技术年会
全球电子测试测量的领导者泰克公司，近日在2010中国电源学会技术年会开关电源分会场为业内人士带来一场“创新的自动功率电子分析与测试方案”的主题演讲，并展示了相应的示波器产品和应用模块。
2010-07-05
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IR推出新一代高传导和低开关损耗600V沟道IGBT
IR推出新一代高传导和低开关损耗600V沟道IGBT。
2010-06-24
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双电源自动转换开关(ATSE)
随着经济的飞速发展和人民生活水平不断提高，人们对电力可靠性的要求越来越高。电力可靠性是供电系统持续供电的能力，我局现在35KV变电站全部实现了双电源，城区线路实现了“手拉手”，一些重要客户也采用了双电源，因此在电力系统中，双电源自动转换开关被广泛应用。本文介绍双电源自动转换开关(ATSE)的发展与应用
2010-06-24
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Vishay更新军品级别的模拟开关和复用器产品线
日前，长期为军工和航天客户提供高可靠性分立和IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工厂已经通过了DSCC的再次认证，所生产的模拟开关和复用器将按照MIL-PRF-38535标准进行筛选。
2010-06-23
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射频封装系统
在RF系统中，各类元件采用不同的技术制作而成，例如BBIC采用CMOS技术、收发机采用SiGe和BiCMOS技术、RF开关采用GaAs技术等。系统芯片(SOC)的优势是把所有功能整合在同一块芯片上，但却受到各种IC技术的限制，因此不能有效利用上述各项技术的优势。系统级封装(SiP)可以对各种不同技术的不同电、热和机械性能要求进行权衡，最终获得最佳的性能。本文讲述系统级封装技术
2010-06-22
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IR 推出 AUIPS7221R 智能电源开关
国际整流器公司（IR）今天推出 65V 高侧智能电源开关 AUIPS7221R。
2010-06-21
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IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200VRC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。
2010-06-18
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如何在白光LED应用中提升电池电压
白光LED通常由一个恒定直流电流源驱动，以保持恒定的亮度。在采用单颗锂离子电池供电的便携式应用中，白光LED以及电流源上的电压降之总和可以比电池电压更高或更低，这意味着白光LED某些时候需要对电池电压进行升压。完成这样应用的最好办法是使用升压DC-DC转换器。这种方法可以大大地优化效率，但代价是成本和PCB面积增加。另外一种提升电池电压的方法是使用电荷泵，也称为开关电容转换器。本文将详细地分析这种器件的工作原理。
2010-06-17
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Fairchild推出自动选择高速USB开关FSA2000
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)专注开发提升用户满意度以及使产品取得市场成功的模拟和功率功能，为手机设计人员提供一款集成有无电容耳机音频放大器的自动选择高速USB开关FSA2000.
2010-06-13
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MAX19994A：Maxim推出完全集成的双通道下变频混频器
Maxim推出完全集成的1200MHz至2000MHz、双通道下变频混频器MAX19994A，器件带有片内LO开关、缓冲器和分离器。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计，具有无与伦比的线性度和噪声性能，以及极高的元件集成度。
2010-06-10
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通信开关电源的EMI／EMC设计
随着开关电源不断向高频化发展，其抗干扰问题显得越发重要。在开发和设计开关电源中，如何有效抑制开关电源的电磁干扰，同时提高开关电源本身对电磁干扰的抗干扰能力是一个重要课题。本文讲述通信开关电源的EMI／EMC设计几种抗干扰措施。
2010-06-10
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