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TI教你轻松设计EMI兼容的汽车开关稳压器
不需要完全了解复杂的EMI，即可轻松设计EMI兼容的汽车开关稳压器。本文以没有复杂数学运算的直觉方式，分享成功实现开关稳压器的基本因素，主要包括：斜率控制、滤波器设计、元件选用、配置、噪声扩散及屏蔽。
2012-06-05
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Fairchild推出低功耗点火IGBT器件，可将VSAT降低多达20%
为了满足现今和新兴点火系统对排放和高燃油效率的严苛要求，汽车设计人员需要更高性能的点火线圈驱动器技术。为帮助设计人员满足这些要求，飞兆半导体公司推出了在较小的占位面积下具有更低功耗的最新一代点火IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2点火线圈驱动器可将VSAT降低多达20%，而不会显著降低自箝位感性负载开关的能量。这项优化特性减低了功耗和工作结温，并降低了对散热器的要求。
2012-06-04
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P16S:Vishay发布业内首款包含可变电阻以及内置旋钮开关的面板式电位计
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布业内首款包含可变电阻和内置旋钮开关的新型面板式电位计---P16S。该电位计是针对军工、专业音响，以及工业领域内音量、速度、亮度和电压控制等紧凑型设计，例如便携式设备、通信手持机、夜视镜和驾驶室仪表板。
2012-06-04
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专为保护高能电路设计的Littelfuse新型压敏电阻
Littelfuse推出用于保护高能电路的压敏电阻新品，专为满足UL1449第3版对浪涌?；ど璞福⊿PD）的要求而设计，应用场合包括浪涌?；ど璞?、AC面板?；つ？椤⒌缭辞谢?span id="5n233hq" class='red'>开关、光伏系统和手机基站。
2012-06-01
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使用广泛的Littelfuse瞬态电压抑制器 (TVS)
我们在?；ご湎?、数据线或因雷击、感应式负载开关及ESD引起的线路过压保护中经常用到TVS 二极管。你真的了解TVS二极管吗，还是对它一知半解？TVS和硅保护阵列、二极管阵列等其他二极管技术有哪些区别？如果你曾关注TVS的选型指南，那你不妨看看Littelfuse的这篇文章。
2012-05-30
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IR 600V车用COOLiR IGBT开关速度比肩MOSFET
国际整流器公司 (IR)推出600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，能够以MOSFET一样快的开关速度运行，适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-30
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英飞凌推出光伏发电逆变器耐压1200V SiC型FET
德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，新产品的主要用途为光伏发电的逆变器装置。如果采用SiC型FET代替现有逆变器装置中使用的IGBT，便可实现装置的小型轻量化。这是因为新产品可实现高于IGBT的工作速度。也就是说，即便提高工作频率，也能降低开关损失。因此，电感器及电容器等被动元件可使用小型产品，所以能够实现整个装置的小型轻量化。
2012-05-24
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Infineon功率芯片在智能车灯控制系统中的应用
现今MCU和电力电子技术在智能车灯控制系统中发展的趋势是用智能功率IC替代传统的继电器和保险丝，有效实现对车灯的过热、过压、短路等故障的?；ず驼锒?；MCU用PWM调制来实现对车灯两端的电压进行控制，以达到限制车灯电流，延长使用寿命的目的。本文介绍了Infineon高端开关应用于智能车灯控制系统中的应用经验，与传统技术进行了对比，结合实例具体分析了其实现的智能诊断技术在实际产品应用中的技术优势和发展前景。
2012-05-24
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IR针对EV|HEV推出600V超高速开关、耐用高频IGBT
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，它能够以和MOSFET一样快的开关速度运行，同时在高电平下还提供更高的效率。COOLiRIGBT适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-23
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君耀电子半导体放电管选型指南
TSS 晶闸体半导体放电管是一种并联于线路中的开关型过压?；て骷?平时处于开路状态，一当有异常的过电压脉冲，达到其击穿电压时，会迅速的由高阻状态变为低阻状态，会把瞬间的浪涌电流旁路而泄放掉，由于负阻的效应，而此时二端的电压小于4V 以下，一当异常电压消失，立即恢复到高阻状态。
2012-05-23
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HOMSEMI MOSFET基于100KHz逆变焊机的应用评测
早期的逆变焊机中功率开关器件采用晶闸管，逆变频率为2--3KHz，变压器铁心采用硅钢片，重量较大。本逆变焊机采用成启半导体大功率MOSFET HS20N50，逆变频率在100KHz以上，可以对熔滴过渡实现精细控制。
2012-05-23
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT开关和导通损耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。
2012-05-21
- 面板行业自律控产，1月电视面板价格全线上涨！
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